1、電波暗室
電波暗室，是主要用于模擬開闊場，同時用于輻射無線電騷擾(EMI)和輻射敏感度(EMS)測量的密閉屏蔽室。電波暗室的尺寸和射頻吸波材料的選用主要由受試設(shè)備(EUT)的外行尺寸和測試要求確定，分1m法、3m法或10m法。
2、組成結(jié)構(gòu)
電波暗室主要組成結(jié)構(gòu)主要為屏蔽室、和吸波材料。屏蔽室由屏蔽殼體、屏蔽門、通風(fēng)波導(dǎo)窗及各類電源濾波器等組成。根據(jù)用戶要求，屏蔽殼體可采用焊接式或拼裝式結(jié)構(gòu)均可。吸波材料由，工作頻率范圍在30MHz~1000MHz的單層鐵氧體片，以及錐形含碳海綿吸波材料構(gòu)成，錐形含碳海綿吸波材料是由聚氨脂泡沫塑料在碳膠溶液中滲透而成，具有較好的阻燃特性。
3、基本分類
電波暗室(anechoic chamber)通常對于輻射試驗來說，測試場地分為三種，分別是全電波暗室、半電波暗室和開闊場。在這三種測試場地中進行的輻射試驗一般都可以認(rèn)為符合電磁波在自由空間中的傳播規(guī)律。
全電波
全電波暗室減小了外界電磁波信號對測試信號的干擾，同時電磁波吸波材料可以減小由于墻壁和天花板的反射對測試結(jié)果造成的多徑效應(yīng)影響，適用于發(fā)射、靈敏度和抗擾度實驗。實際使用中，如果屏蔽體的屏蔽效能能夠達到80dB~140dB，那么對于外界環(huán)境的干擾就可以忽略不計，在全電波暗室中可以模擬自由空間的情況。同其它兩種測試場地相比，全電波暗室的地面、天花板和墻壁反射最小、受外界環(huán)境干擾最小，并且不受外界天氣的影響。它的缺點在于受成本制約，測試空間有限。
半電波
半電波暗室與全電波暗室類似，也是一個經(jīng)過屏蔽設(shè)計的六面盒體，在其內(nèi)部覆蓋有電磁波吸波材料，不同之處在于半電波暗室使用導(dǎo)電地板，不覆蓋吸波材料。半電波暗室模擬理想的開闊場情況，即場地具有一個無限大的良好的導(dǎo)電地平面。在半電波暗室中，由于地面沒有覆蓋吸波材料，因此將產(chǎn)生反射路徑，這樣接收天線接收到的信號將是直射路徑和反射路徑信號的總和。
開闊場(open area test,OAT)
典型的開闊場是平坦、空曠、電導(dǎo)率均勻良好、無任何反射物的橢圓形或圓形試驗場地，理想的開闊場地面具有良好的導(dǎo)電性，面積無限大，在30MHz~1000MHz之間接收天線接收到的信號將是直射路徑和反射路徑信號的總和。但在實際應(yīng)用中，雖然可以獲得良好的地面?zhèn)鲗?dǎo)率，但是開闊場的面積卻是有限的，因此可能造成發(fā)射天線與接收天線之間的相位差。在發(fā)射測試中，開闊場的使用和半電波暗室相同。
性能指標(biāo)
頻率范圍：30MHz~18GHz；
(一)吸波材料反射損耗：30MHz~18GHz≥15dB；
(吸波材料采用復(fù)合吸波材料，即錐形含碳海綿吸波材料粘貼在鐵氧體上)
(二)屏蔽室屏蔽性能
微波：1GHz~10GHz≥100dB；10GHz~18GHz≥90dB；
(三)歸一化場地衰減±4dB，場均勻性0~6dB。
5、主要用途
電波暗室用于模擬開闊場。同時用于輻射無線電騷擾(EMI)和輻射敏感度(EMS)測量，電波暗室的尺寸和射頻吸波材料的選用主要由受試設(shè)備(EUT)的外行尺寸和測試要求確定，分1m法、3m法或10m法。
6、影響因素
影響其性能指標(biāo)的因素主要包括：暗室參數(shù)、天線測量的誤差以及其他誤差等。
微波暗室的電性能指標(biāo)主要由靜區(qū)的特征來表征。靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的最大反射電平、交叉極化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標(biāo)來描述。
影響暗室性能指標(biāo)的因素是多元化的，也是很復(fù)雜的，在利用光線發(fā)射法和能量物理法則對暗室性能進行仿真計算時，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標(biāo)準(zhǔn)天線的方向圖因素，吸收材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實際的工程設(shè)計過程中，往往以吸收材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。
1)交叉極化度：由于暗室結(jié)構(gòu)的不嚴(yán)格對稱、吸收材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過程中產(chǎn)生極化不純的現(xiàn)象。如果待測試天線與發(fā)射天線的極化面正交和平行時，所測試場強之比小于-25dB，就認(rèn)為交叉極化度滿足要求。
2)多路徑損耗：路徑損耗不均勻會使電磁波的極化面旋轉(zhuǎn)，如果以來波方向旋轉(zhuǎn)待測試天線，接收信號的起伏不超過±0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。
3)場均勻性：在暗室靜區(qū)，沿軸移動待測試天線，要求起伏不超±2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動待測天線，要求接收信號起伏不超過±0.25 dB。
7、天線測量的誤差
有限測試距離所引起的誤差
設(shè)待測的是平面天線，接收的來波沿其主波束的軸向.若測試距離大小，由待測天線之不同部位所接受的場不能相同，因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位于源天線遠場區(qū)的邊界2D2/λ，其口徑邊緣與相位中心的場存在22.5度的相位差。若測試距離加倍，在相位差減半。
對于測量中等旁瓣電平的天線，距離2D2/λ通常已經(jīng)足夠，測出的增益約偏小0.06dB.測試距離縮短會使測量誤差迅速增大，旁瓣會與主波束合并成肩臺式，甚至合為一體..通常0.25 dB的錐銷使測出的增益降低約為0.1 dB，并造成近旁瓣的些許誤差。
反射
直射波受從周圍物體反射的干涉，在測試區(qū)域形成場的變化，由于該波波程差作為位置的函數(shù)而迅速變化，使起伏的長度屬于波長的數(shù)量級。例如比直射波低20 dB的反射波，可引起-0.92~+0.83 dB的功率誤差，具體取決于兩種之間的差異；相位測量的誤差范圍為±5.7°。但若反射波的場比直射波低40dB，則側(cè)出的幅度與相位分別僅有±0.09與±0.6°的誤差。
反射在低旁瓣的測量中特別有害，一項很小的反射通過主瓣耦合到待測天線，可以掩蓋住耦合到旁瓣的直射波，如果相耦合的直射和反射波強度相等，則測出的旁瓣電平會抬高6 dB左右，或者在測得的波瓣圖中成為零點。
其他
低頻時與電抗近場的耦合可能比較顯著，測量天線的對準(zhǔn)誤差，其他干擾信號，測試電纜所引起的誤差等。 |
